Reference samples of the silicon single crystalls free carrier recombination lifetime
Abstract
A comparison of two methods for measurement of the free carrier recombination lifetime in the unpassivated samples of high resistivity n-type silicon single crystalls (reference samples of "GIREDMET") was made. The methods were based on the photoconductivity decay measurements (High frequence and /-PCD). Effective recombination lifetime value in the range 1-1500 /is were achieved by changes of the sample thickness from 0,4 to 10 mm. Bulk recombination lifetime was calculated using the relation between the effective recombination lifetime and the sample thickness. It was shown that random and systematic errors for two methods are of the same order.
About the Authors
S. P. Kobeleva
National University of Science and Technology "MISiS"
Russian Federation
Russian Federation
I. M. Anfimov
National University of Science and Technology "MISiS"
Russian Federation
Russian Federation
I. V. Schemerov
National University of Science and Technology "MISiS"
Russian Federation
Russian Federation
L. P. Kholodny
JSC "GIREDMET"
Russian Federation
Russian Federation
I. V. Borzikh
National University of Science and Technology "MISiS"
Russian Federation
Russian Federation
V. V. Ptashinsty
National University of Science and Technology "MISiS"
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Батавин В.В., Концевой Ю.А, Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985.
2. Runyan W. R, Shaffner T. J. Semiconductor Measurements & Instrumentation. New York: McGraw-Hill, 1997.
3. Кобелева С.П. Методы измерения электрофизических параметров монокристаллического кремния // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2007. № 1. С. 60-67.
4. Кобелева С.П. Методы измерения электрофизических параметров монокристаллического кремния. Ч. 2 // Комментарии к стандартам. 2013. № 8. С. 15-26.
5. Установка для измерения времени жизни неосновных носителей заряда монокристаллического кремния / С. П. Кобелева [и др.] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2004. Т. 70. № 5. С. 27-30.
6. Кобелева С.П., Лагов П.Б., Щемеров И.В. О возможности разработки ГСО времени жизни неравновесных носителей заряда монокристаллического кремния // Стандартные образцы. 2013. № 3. С. 10-15.
7. SEMI MF28. Test Methods for the Minority-Carrier Lifetime in Bulk Germanium and Silicon by Measurement of Photoconductivity Decay. San Jose. 2010.
8. SEMI MF1535. Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance. San Jose. 2010.
9. Определение объемного времени жизни неосновных носителей заряда на непассивированных поверхностях монокристаллического кремния / С.П. Кобелева [и др.] // Заводская лаборатория. 2004. Т. 20. № 6. С. 23-28.
10. Влияние поверхностной рекомбинации на измерение времени жизни в слитках монокристаллического кремния / С.П. Кобелева [и др.] // Известия ВУЗов. Материалы электронной техники. 2006. № 4. С. 17-20.
11. Анфимов И.М., Кобелева С.П., Щемеров И.В. Измерение времени жизни неравновесных носителей заряда в монокристаллическом кремнии // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2014. № 1. Т. 80. С. 41-45.
12. Расчет профилей распределения фотогенерированных носителей заряда в полупроводнике и фотопроводимости: свидетельство о гос. регистрации программы ЭВМ № 2013612971; опубл. 19.03.2013.
13. SEMI MF723. Practice for conversion between resistivity and dopant or carrier density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon. San Jose. 2010.
Review
For citations:
Kobeleva S.P., Anfimov I.M., Schemerov I.V., Kholodny L.P., Borzikh I.V., Ptashinsty V.V. Reference samples of the silicon single crystalls free carrier recombination lifetime. Measurement Standards. Reference Materials. 2015;(1):16-22. (In Russ.)
Views:
709
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International (CC BY-NC 4.0).
Email this article 
